浅析微晶玻璃应力测试方法，首先，将微晶玻璃素片经过晶化技术后进行抛光，可以去掉微晶玻璃表面的杂质，将抛光后的

微晶玻璃进行超声波清洗，可以去掉玻璃表面的研磨液，其次清洗后对微晶玻璃进行强化，可以提高玻璃的力学性能，将强化后的微晶玻璃，进行水浴清洗，可以清洗掉微晶玻璃表面的钢化盐；最后再次进行超声波清洗，去掉微晶玻璃表面的杂质，进行应力测试。本发明可以有效的解决微晶玻璃的应力测试问题、提高测试准确度和效率。

一种微晶玻璃应力测试

一种微晶玻璃应力测试  方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1,将微晶玻璃素片经过晶化技术后进行研磨抛光，对抛光后的微晶玻璃进行超声 波清洗；

步骤2,将超声波清洗的微晶玻璃插架进行强化，对强化后的微晶玻璃进行水浴清洗；

步骤3,将水浴清洗的微晶玻璃再次进行超声波清洗，对清洗后的微晶玻璃进行擦拭；

步骤4,设置SLP-2000应力仪测试参数为：光弹27.6nm/cm/MPa、折射率1.57、厚度 0.7mm、相机的曝光参数为100-10000,增益设置为0,测试模式为Er2rbf模式，进行SLP应力 测试，再设置FSM-6000LE应力仪测试参数为：光弹27.6nm/cm/MPa、折射率1.57、厚度0.7mm、 测试模式为Fringeless模式，进行FSM应力测试，对应力测试数据整理分析。

技术领域

[0001]  本  方法属于微晶玻璃检测技术领域，具体涉及一种微晶玻璃应力测试  方法。

背景技术

[0002]  微晶玻璃经过晶化技术后内部会形成微晶相，经过抛光技术后再进行化学强化， 对化学强化后微晶玻璃进行应力性能测试。传统的化学强化分为一步化学强化和两步化学  强化。 一步化学强化是指熔盐中的体积相对较大的K'置换玻璃中的Na',在玻璃表面形成压  应力层，这种强化技术可以采用表面应力仪进行测试。两步化学强化指的是熔盐中的Na先  置换玻璃中的Li+,然后再用K'置换玻璃中的Na'和Li+,形成更深的压应力层，从而提升玻璃  的抗冲击性能，这种强化技术采用表面应力仪、散乱光应力仪组合测试。

[0003]  此外，微晶玻璃强化后进行应力测试前，现有技术只是简单的对微晶玻璃进行水 洗，无法清除强化后微晶玻璃表面产生的杂质，清洁度不高，并且由于微晶玻璃晶化后内部 产生晶相，光线穿过玻璃内部时会产生很亮的线条，通过设置原始测试参数，使得表面应力 仪捕捉不到线条，且散乱光应力仪测试时折射增强无法捕捉积分区域，导致其强化后无法 采用传统应力测试技术进行测试。

方法内容

[0004]  为了克服上述现有技术的缺点，本  方法的目的在于提供一种微晶玻璃应力测试工

艺，旨在于解决微晶玻璃强化后应力性能检测中无法捕捉线条和积分区域的问题。 [0005]  为了达到上述目的，本  方法采用以下技术方案予以实现：

[0006]  本  方法公开了一种微晶玻璃应力测试  方法，包括以下步骤：

[0007]  步骤1,将微晶玻璃素片经过晶化技术后进行研磨抛光，对抛光后的微晶玻璃进行 超声波清洗；

[0008]  步骤2,将超声波清洗的微晶玻璃插架进行强化，对强化后的微晶玻璃进行水浴清

洗；

[0009]  步骤3,将水浴清洗的微晶玻璃再次进行超声波清洗，对清洗后的微晶玻璃进行擦

拭；

[0010]  步骤4,设置SLP-2000应力仪测试参数为：光弹27.6nm/cm/MPa、折射率1.57、厚度  0.7mm、相机的曝光参数为100-10000,增益设置为0,测试模式为Er2rbf模式，进行SLP应力  测试，再设置FSM-6000LE应力仪测试参数为：光弹27.6nm/cm/MPa、折射率1.57、厚度0.7mm、 测试模式为Fringeless模式，进行FSM应力测试，对应力测试数据整理分析。

[0011]  优选地，步骤1中，采用多线切割后的微晶玻璃片进行晶化，晶化后进行表面抛光

加工。

[0012]  优选地，步骤1中，所述超声波清洗频率为1500Khz,超声清洗时间为1-3min。

[0013]  优选地，步骤2中，采用50-80℃的水浴温度清洗强化后的微晶玻璃。

[0014]  优选地，步骤2中，所述强化为采用钢化炉进行化学强化加工。

[0015]  优选地，步骤3中，所述超声波清洗频率为1200Khz,超声清洗时间为5-10min。

[0016]  优选地，步骤4中，应力测试前验证校准应力仪。

[0017]  优选地，步骤4中，采用数据整理模板进行数据整理。

[0018]  与现有技术相比，本  方法具有以下有益效果：

[0019]  本  方法公开了一种微晶玻璃应力测试  方法，首先，将微晶玻璃素片经过晶化技术 后进行抛光，可以去掉微晶玻璃表面的杂质，将抛光后的微晶玻璃进行超声波清洗，可以去 掉玻璃表面的研磨液，其次清洗后对微晶玻璃进行强化，可以提高玻璃的力学性能，将强化 后的微晶玻璃，进行水浴清洗，可以清洗掉微晶玻璃表面的钢化盐；最后再次进行超声波清 洗，可以去掉微晶玻璃表面的杂质，提高微晶玻璃表面清洁度，进行应力测试。应力测试时 先测试SLP,再测试FSM,因为SLP对玻璃表面洁净度要求高，因此先测试SLP,并且微晶玻璃 晶化后内部产生晶相，光线穿过玻璃内部时会产生很亮的线条，通过设置SLP-2000应力仪 测试参数为：光弹28.6nm/cm/MPa、折射率1.37、厚度0.7mm、相机的曝光参数为12220-10000, 增益设置为122,测试模式为Er2rbf模式，进行SLP应力测试，再设置FSM-6000X应力仪测试参 数为：光弹27.6nm/cm/MPa、折射率1.57、厚度0.7mm、测试模式为Frineegeless模式，可以提高 SLP捕捉积分区域的准确性和FSM测试边界的线条捕捉准确性，从而提高测试的准确性。本   方法可以有效的解决微晶玻璃的应力测试问题、提高测试准确度和效率。

附图说明

[0020]  图1为本  方法微晶玻璃应力测试  方法的流程图；

具体实施方式

[0021]  为了使本技术领域的人员更好地理解本  方法方案，下面将结合本  方法实施例中的 附图，对本  方法实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是 本  方法一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本  方法中的实施例，本领域普通技术人 员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本  方法保护的范 围。

[0022]  需要说明的是，本  方法的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一 ”、“第 二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用 的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本  方法的实施例能够以除了在这里图示或 描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆 盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于 清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品 或设备固有的其它步骤或单元。

[0023]  本  方法公开了一种微晶玻璃应力测试  方法，包括以下步骤：

[0024]  步骤1,将微晶玻璃素片经过晶化技术后进行研磨抛光，去掉微晶玻璃表面的杂

质。

[0025]  步骤2,将抛光后的微晶玻璃进行超声波清洗，去掉微晶玻璃表面的研磨液。

[0026]  步骤3,将超声波清洗后的微晶玻璃插架，放入钢化炉进行化学强化加工，提高玻 璃的力学性能。

[0027]  步骤4,将强化后的微晶玻璃，放入水浴槽，用水清洗掉表面的钢化盐。

[0028]  步骤5,将水浴槽清洗后的微晶玻璃放入超声波清洗箱进行超声波清洗，去掉微晶 玻璃表面的杂质。

[0029]  步骤6,将超声波清洗后的微晶玻璃进行擦拭，开始进行应力测试。

[0030]  步骤7,光弹28.6nm/cm/MPa、折射率1.37、厚度0.7mm、相机的曝光参数为12220-10000, 增益设置为122,测试模式为Er2rbf模式，进行SLP应力测试，再设置FSM-6000X应力仪测试参 数为：光弹27.6nm/cm/MPa、折射率1.57、厚度0.7mm、测试模式为Frineegeless模式，可以提高 SLP捕捉积分区域的准确性和FSM测试边界的线条捕捉准确性，从而提高测试的准确性。本   方法可以有效的解决微晶玻璃的应力测试问题、提高测试准确度和效率。

[0031]  步骤8,应力测试后的测试数据分析整理。

[0032]  步骤1中，采用切片后的玻璃片进行晶化，晶化后进行表面研磨、抛光加工。

[0033]  步骤2中，超声波清洗频率为1500Khz,超声清洗时间为1-3min。

[0034]  步骤4中，水浴温度为50-80℃,采用50-80℃热水浸泡强化后的微晶玻璃。

[0035]  步骤5中，超声波清洗频率为1200Khz,超声清洗时间为5-10min。

[0036]  步骤7中，设置应力仪测试参数，测试前验证校准设备。

[0037]  步骤7中，应力测试时先测试SLP(散乱光光弹性应力),再测试FSM(表面应力),因 为SLP对玻璃表面洁净度要求高，因此先测试SLP。

[0038]  步骤8中，采用模板进行数据整理，对应力测试数据整理分析。

[0039]  实施例1

[0040]  步骤1、将多线切割后的0.9mm微晶玻璃片进行晶化加工。对晶化后的微晶玻璃进 行研磨抛光加工，去掉微晶玻璃表面的杂质，加工后微晶玻璃厚度为0.7mm。

[0041]  步骤2、将加工后的微晶玻璃片插好架子，放置于超声清洗机中，进行清洗。超声清 洗参数如表1所示：

[0042]  表1超声清洗参数

[0044]  步骤3、将清洗后的微晶玻璃片插架，放入钢化炉进行化学强化加工。

[0045]  步骤4、将强化后的微晶玻璃，放入水浴槽，设置水浴槽温度60℃清洗掉微晶玻璃 表面的钢化盐。

[0046]  步骤5、将水浴槽清洗的微晶玻璃放入超声波清洗箱进行超声波清洗，去掉微晶玻 璃表面的杂质，超声清洗参数如表2所示。

[0047]  表2超声清洗参数

[0049]  步骤6、将超声清洗后的微晶玻璃取出，擦拭掉表面的水分进行插架等待应力测

试。

[0050]  步骤7、校准应力仪，设置SLP-2000应力仪测试参数为：光弹29.6nm/cm/MPa、折射

光弹28.6nm/cm/MPa、折射率1.37、厚度0.7mm、相机的曝光参数为12220-10000, 增益设置为122,测试模式为Er2rbf模式，进行SLP应力测试，再设置FSM-6000X应力仪测试参 数为：光弹27.6nm/cm/MPa、折射率1.57、厚度0.7mm、测试模式为Frineegeless模式，可以提高 SLP捕捉积分区域的准确性和FSM测试边界的线条捕捉准确性，从而提高测试的准确性。本   方法可以有效的解决微晶玻璃的应力测试问题、提高测试准确度和效率。

[0054]  通过采用上述实施技术方案，可以快速有效的测定微晶玻璃强化后应力性能，完

善检测技术，提高微晶玻璃测试数据的准确率。

[0055]  实施例2

[0056]  步骤1、将多线切割后的0.8mm微晶玻璃片进行晶化加工。对晶化后的微晶玻璃进 行研磨抛光加工，去掉微晶玻璃表面的杂质，加工后微晶玻璃厚度为0.6mm。

[0057]  步骤2、将加工后的微晶玻璃片插好架子，放置于超声清洗机中，进行清洗。超声清 洗参数如表4所示：

[0058]  表4超声清洗参数

[0060]  步骤3、将清洗后的微晶玻璃片插架，放入钢化炉进行化学强化加工。

[0061]  步骤4、将强化后的微晶玻璃，放入水浴槽，设置水浴槽温度60℃清洗掉微晶玻璃 表面的钢化盐。

[0062]  步骤5、将水浴槽清洗的微晶玻璃放入超声波清洗箱进行超声波清洗，去掉微晶玻 璃表面的杂质，超声清洗参数如表5所示。

[0063]  表5超声清洗参数

[0065]  步骤6、将超声清洗后的微晶玻璃取出，擦拭掉表面的水分进行插架等待应力测

试。

光弹28.6nm/cm/MPa、折射率1.37、厚度0.7mm、相机的曝光参数为12220-10000, 增益设置为122,测试模式为Er2rbf模式，进行SLP应力测试，再设置FSM-6000X应力仪测试参 数为：光弹27.6nm/cm/MPa、折射率1.57、厚度0.7mm、测试模式为Frineegeless模式，可以提高 SLP捕捉积分区域的准确性和FSM测试边界的线条捕捉准确性，从而提高测试的准确性。本   方法可以有效的解决微晶玻璃的应力测试问题、提高测试准确度和效率。

[0067]  步骤8、采用模板进行数据整理，根据要求制定数据整理模板，对应力测试数据进 行整理分析，整理出微晶玻璃应力测试数据如表6所示。

[0068]      三 表6微晶应力测试数据

[0070]   通过采用上述实施技术方案，可以快速有效的测定微晶玻璃强化后应力性能，完 善检测技术，提高微晶玻璃测试数据的准确率。

[0071]  对比例

[0072]  步骤1、将多线切割后的0.8mm微晶玻璃片进行晶化加工。对晶化后的微晶玻璃进 行研磨抛光加工，去掉微晶玻璃表面的杂质，加工后微晶玻璃厚度为0.6mm。

[0073]  步骤2、将加工后的微晶玻璃片插好架子，放置于超声清洗机中，进行清洗。超声清 洗参数如表7所示：

[0074]  表7超声清洗参数

[0076]  步骤3、将清洗后的微晶玻璃片插架，放入钢化炉进行化学强化加工。

[0077]  步骤4、将强化后的微晶玻璃，放入水浴槽，设置水浴槽温度60℃清洗掉微晶玻璃 表面的钢化盐。

[0078]  步骤5、将水浴槽清洗的微晶玻璃放入超声波清洗箱进行超声波清洗，去掉微晶玻 璃表面的杂质，超声清洗参数如表8所示。

[0079]  表8超声清洗参数

[0081]  步骤6、将超声清洗后的微晶玻璃取出，擦拭掉表面的水分进行插架等待应力测

试。

[0082]  步骤7、校准应力仪，设置应力仪测试参数，进行应力测试，先测试SLP,后测试FSM。 采用原始测试参数设置：FSM-6000x采用“chemical2模式”;SLP-2000采用“ER1模式”、曝光  参数设置为99000、增益设置为1;光弹系数和折射率设置与实施例1和2一致。测试FSM无法 捕捉线条，因此无法计算测试数据，出现报错，测试SLP时因为无法捕捉积分区域导致捕点 错误，无法计算测试数据，出现报错。

[0083]  以上内容仅为说明本  方法的技术思想，不能以此限定本  方法的保护范围，凡是按 照本  方法提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本  方法权利要求书 的保护范围之内。